Телефон и факс:+7 (3854) 43-25-81
Главная → Применение ультразвука в промышленности → Применение ультразвуковых колебаний для ускорения процессов в жидких средах → Получение чистых лекарственных веществ связано с методами многократной кристаллизации и перекристаллизации в водных и неводных растворителях. Ультразвук в зависимости от режима ультразвуковой обработки, степени перенасыщения раствора, температурного фактора и т.д. может значительно ускорить процесс кристаллизации неорганических соединений [7]. Ускорение кристаллизации осуществляется за счет растворения мелких кристаллов. Для этих же целей возможно использование диспергирующего действия ультразвука, который дробит кристаллы. Последние в свою очередь становятся новыми центрами кристаллизации, вновь дробятся и т.д. Процесс зарождения кристаллизационных центров становится лавинообразным. Так, при кристаллизации переохлажденных расплавов некоторых веществ, используемых в химико-фармацевтической промышленности (хлорида аммония, серы, салола, тимола, бетола, пиперидина, бензофенола, хлортетрациклина и др.), образование центров кристаллизации без ультразвука отмечалось через 5—8 ч, при применении ультразвука — через несколько секунд. Ускорение процессов кристаллизации отмечается на стадии кавитации, когда диспергирующий эффект наибольший. Ультразвук можно использовать в ряде технологических операций при выращивании кристаллов полупроводниковых соединений, например при синтезе соединений из исходных компонентов, составляющих сплав. Применение ультразвукового воздействия с частотой колебаний около 20 кГц позволяет резко интенсифицировать процесс, поскольку в кавитационном режиме возникают сильные микро - и макропотоки, снимающие диффузионные ограничения. Например, при растворении теллурида кадмия (Tпл=1100оС) в расплаве теллурида ртути при температуре, близкой к температуре ликвидуса тройного соединения, скорость растворения при ультразвуковом воздействии увеличивается почти на три порядка, что позволяет резко сократить время синтеза. Применение ультразвукового воздействия позволяет улучшить осевую однородность распределения примесей и компонентов сплава за счет интенсификации тепло- и массообменных процессов. Однако специфика ультразвуковой обработки заключается в том, что наиболее эффективное воздействие происходит при образовании в расплаве кавитации, а кавитационные эффекты обусловливают разрушение фронта кристаллизации и вызывают образование мелкозернистой структуры слитка, поэтому интенсивный ультразвук нецелесообразно использовать при получении монокристаллических образцов кристаллизационными методами. В тех случаях, когда ставится задача получения поликристаллических слитков, применение ультразвука весьма перспективно, ультразвуковая обработка в процессе кристаллизации позволяет получить однородный, безпористый материал с мелкозернистой структурой. Определенный практический интерес представляет применение ультразвука в процессах выращивания профилированных изделий по методу Степанова, т. е. вытягиванием из расплава через фильеру, профиль отверстия которой определяет форму выращиваемого кристалла. Подведение ультразвуковых колебаний к расплаву или непосредственно к фильере существенно влияет на протекание процесса. Многочисленные экспериментальные исследования показали, что воздействие ультразвука увеличивает жидкотекучесть расплава и смачиваемость им твердой поверхности. Данные эффекты стабилизируют процесс выращивания профилированных кристаллов, однако до сих пор не существует физической модели, удовлетворительно объясняющей наблюдаемые явления.

Получение чистых лекарственных веществ связано с методами многократной кристаллизации и перекристаллизации в водных и неводных растворителях. Ультразвук в зависимости от режима ультразвуковой обработки, степени перенасыщения раствора, температурного фактора и т.д. может значительно ускорить процесс кристаллизации неорганических соединений [7]. Ускорение кристаллизации осуществляется за счет растворения мелких кристаллов. Для этих же целей возможно использование диспергирующего действия ультразвука, который дробит кристаллы. Последние в свою очередь становятся новыми центрами кристаллизации, вновь дробятся и т.д. Процесс зарождения кристаллизационных центров становится лавинообразным. Так, при кристаллизации переохлажденных расплавов некоторых веществ, используемых в химико-фармацевтической промышленности (хлорида аммония, серы, салола, тимола, бетола, пиперидина, бензофенола, хлортетрациклина и др.), образование центров кристаллизации без ультразвука отмечалось через 5—8 ч, при применении ультразвука — через несколько секунд. Ускорение процессов кристаллизации отмечается на стадии кавитации, когда диспергирующий эффект наибольший. Ультразвук можно использовать в ряде технологических операций при выращивании кристаллов полупроводниковых соединений, например при синтезе соединений из исходных компонентов, составляющих сплав. Применение ультразвукового воздействия с частотой колебаний около 20 кГц позволяет резко интенсифицировать процесс, поскольку в кавитационном режиме возникают сильные микро - и макропотоки, снимающие диффузионные ограничения. Например, при растворении теллурида кадмия (Tпл=1100оС) в расплаве теллурида ртути при температуре, близкой к температуре ликвидуса тройного соединения, скорость растворения при ультразвуковом воздействии увеличивается почти на три порядка, что позволяет резко сократить время синтеза. Применение ультразвукового воздействия позволяет улучшить осевую однородность распределения примесей и компонентов сплава за счет интенсификации тепло- и массообменных процессов. Однако специфика ультразвуковой обработки заключается в том, что наиболее эффективное воздействие происходит при образовании в расплаве кавитации, а кавитационные эффекты обусловливают разрушение фронта кристаллизации и вызывают образование мелкозернистой структуры слитка, поэтому интенсивный ультразвук нецелесообразно использовать при получении монокристаллических образцов кристаллизационными методами. В тех случаях, когда ставится задача получения поликристаллических слитков, применение ультразвука весьма перспективно, ультразвуковая обработка в процессе кристаллизации позволяет получить однородный, безпористый материал с мелкозернистой структурой. Определенный практический интерес представляет применение ультразвука в процессах выращивания профилированных изделий по методу Степанова, т. е. вытягиванием из расплава через фильеру, профиль отверстия которой определяет форму выращиваемого кристалла. Подведение ультразвуковых колебаний к расплаву или непосредственно к фильере существенно влияет на протекание процесса. Многочисленные экспериментальные исследования показали, что воздействие ультразвука увеличивает жидкотекучесть расплава и смачиваемость им твердой поверхности. Данные эффекты стабилизируют процесс выращивания профилированных кристаллов, однако до сих пор не существует физической модели, удовлетворительно объясняющей наблюдаемые явления.

Получение чистых лекарственных веществ связано с методами многократной кристаллизации и перекристаллизации в водных и неводных растворителях. Ультразвук в зависимости от режима ультразвуковой обработки, степени перенасыщения раствора, температурного фактора и т.д. может значительно ускорить процесс кристаллизации неорганических соединений [7]. Ускорение кристаллизации осуществляется за счет растворения мелких кристаллов.
Для этих же целей возможно использование диспергирующего действия ультразвука, который дробит кристаллы. Последние в свою очередь становятся новыми центрами кристаллизации, вновь дробятся и т.д. Процесс зарождения кристаллизационных центров становится лавинообразным. Так, при кристаллизации переохлажденных расплавов некоторых веществ, используемых в химико-фармацевтической промышленности (хлорида аммония, серы, салола, тимола, бетола, пиперидина, бензофенола, хлортетрациклина и др.), образование центров кристаллизации без ультразвука отмечалось через 5—8 ч, при применении ультразвука — через несколько секунд.
Ускорение процессов кристаллизации отмечается на стадии кавитации, когда диспергирующий эффект наибольший. Ультразвук можно использовать в ряде технологических операций при выращивании кристаллов полупроводниковых соединений, например при синтезе соединений из исходных компонентов, составляющих сплав.
Применение ультразвукового воздействия с частотой колебаний около 20 кГц позволяет резко интенсифицировать процесс, поскольку в кавитационном режиме возникают сильные микро - и макропотоки, снимающие диффузионные ограничения. Например, при растворении теллурида кадмия (Tпл=1100оС) в расплаве теллурида ртути при температуре, близкой к температуре ликвидуса тройного соединения, скорость растворения при ультразвуковом воздействии увеличивается почти на три порядка, что позволяет резко сократить время синтеза.
Применение ультразвукового воздействия позволяет улучшить осевую однородность распределения примесей и компонентов сплава за счет интенсификации тепло- и массообменных процессов. Однако специфика ультразвуковой обработки заключается в том, что наиболее эффективное воздействие происходит при образовании в расплаве кавитации, а кавитационные эффекты обусловливают разрушение фронта кристаллизации и вызывают образование мелкозернистой структуры слитка, поэтому интенсивный ультразвук нецелесообразно использовать при получении монокристаллических образцов кристаллизационными методами.
В тех случаях, когда ставится задача получения поликристаллических слитков, применение ультразвука весьма перспективно, ультразвуковая обработка в процессе кристаллизации позволяет получить однородный, безпористый материал с мелкозернистой структурой.
Определенный практический интерес представляет применение ультразвука в процессах выращивания профилированных изделий по методу Степанова, т. е. вытягиванием из расплава через фильеру, профиль отверстия которой определяет форму выращиваемого кристалла. Подведение ультразвуковых колебаний к расплаву или непосредственно к фильере существенно влияет на протекание процесса. Многочисленные экспериментальные исследования показали, что воздействие ультразвука увеличивает жидкотекучесть расплава и смачиваемость им твердой поверхности. Данные эффекты стабилизируют процесс выращивания профилированных кристаллов, однако до сих пор не существует физической модели, удовлетворительно объясняющей наблюдаемые явления.

659305, г. Бийск, ул. Трофимова 27, корп. Б, каб. 101-1

+7 (3854) 43-25-81

vnh@u-sonic.ru